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DMN65D8L-7  与  BSS138N H6327  区别

型号 DMN65D8L-7 BSS138N H6327
唯样编号 A36-DMN65D8L-7 A36-BSS138N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 DMN65D8L: 60 V 3 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3Ω@115mA,10V 3.5Ω@230mA,10V
上升时间 - 3ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) 360mW
Qg-栅极电荷 - 1.4nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 100mS
典型关闭延迟时间 - 6.7ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 0.31A 230mA
配置 - Single
系列 - BSS138
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 22pF @ 25V -
长度 - 2.9mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.87nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
下降时间 - 8.2ns
典型接通延迟时间 - 2.3ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 43,414 2,212
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5874
200+ :  ¥0.2685
1,500+ :  ¥0.1665
3,000+ :  ¥0.1152
100+ :  ¥0.5499
200+ :  ¥0.2925
1,500+ :  ¥0.286
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5874 

阶梯数 价格
90: ¥0.5874
200: ¥0.2685
1,500: ¥0.1665
3,000: ¥0.1152
43,414 当前型号
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
24,730 对比
DMN65D8LV-13 Diodes Incorporated MOSFET

¥0.5642 

阶梯数 价格
90: ¥0.5642
500: ¥0.3757
5,000: ¥0.3276
9,850 对比
DMN65D8LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.3263 

阶梯数 价格
160: ¥0.3263
500: ¥0.2505
5,000: ¥0.219
7,154 对比
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138NH6327XTSA2_2.9mm SOT-23

¥0.5499 

阶梯数 价格
100: ¥0.5499
200: ¥0.2925
1,500: ¥0.286
2,212 对比
DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.3705 

阶梯数 价格
140: ¥0.3705
200: ¥0.2745
839 对比

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